RYNOK POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV GaN K 2030 GODU PREVYSIT 10,73 MLRD. DOLL. BLAGODARY RASSIRENIY INFRASTRUKTURY 5G I BYSTROMU RAZVITIY POTREBITELьSKOI ELEKTRONIKI

OBZOR RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV &

SOGLASNO OTCETU SNS Insider, OBъEM RYNKA POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV NA OSNOVE GaN V 2022 G. DOSTIG 2,17 MLRD. DOLL. PROGNOZY UKAZYVAYT NA USTOICIVUY TRAEKTORIY ROSTA S SOVOKUPNYM GODOVYM TEMPOM ROSTA (CAGR) 22,1% V PERIOD S 2023 PO 2030 GOD, CTO V KONECNOM ITOGE PRIVEDET K UVELICENIY STOIMOSTI RYNKA DO 10,73 MLRD. DOLL. K 2030 GODU. RYNOK GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV RAZVIVAETSY POD VLIYNIEM SOVOKUPNOSTI FAKTOROV, OBESPECIVAYSIK RASTUSII SPROS NA VYSOKOPROIZVODITELьNYE I ENERGOEFFEKTIVNYE RESENIY V RAZLICNYK OTRASLYK PROMYSLENNOSTI.

V DINAMICNOM LANDSAFTE POLUPROVODNIKOVYK TEKNOLOGII NITRID GALLIY (GaN) STAL NOVATORSKIM MATERIALOM, SPOSOBSTVUYSIM PEREKODU ELEKTRONNYK USTROISTV V NOVYE SFERY EFFEKTIVNOSTI, MOSNOSTI I MINIATYRIZATII. POLUPROVODNIKOVYE PRIBORY NA OSNOVE GaN PREDSTAVLYYT SOBOI TRANSFORMATIONNYI SKACOK PO SRAVNENIY S TRADITIONNYMI KREMNIEVYMI KOMPONENTAMI, OBESPECIVAY BESPRETEDENTNYE PREIMUSESTVA V PROIZVODITELьNOSTI, KOTORYE OPREDELYYT BUDUSEE RAZLICNYK OTRASLEI PROMYSLENNOSTI - OT BYTOVOI ELEKTRONIKI DO SOVREMENNYK ENERGETICESKIK SISTEM I NE TOLьKO. OT TRADITIONNYK KREMNIEVYK POLUPROVODNIKOV GaN OTLICAET ISKLYCITELьNAY PODVIZNOSTь ELEKTRONOV I SIROKAY POLOSA PROPUSKANIY.

POLUCITь BESPLATNYI OBRAZET OTCETA O RYNKE GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV @ https://www.snsinsider.com/sample-request/1305

KLYCEVYMI IGROKAMI, PREDSTAVLENNYMI V OTCETE O RYNKE POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV NA OSNOVE GaN, YVLYYTSY:

Osram Opto-semiconductors, Panasonic Semiconductors, Texas Instruments, RF Micro Devices Corporation, Cree Incorporated, Toshiba, Aixtron SE, Infineon Technologies, Gallia Semiconductor, ROHM Company Limited, Fujitsu Ltd, NXP Semiconductors, Koninklijke Philips N.V., Nichia Corporation, Qorvo, I DRUGIE.

ANALIZ RYNKA

RYNOK POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV GaN PEREZIVAET BURNYI ROST, OBUSLOVLENNYI SOCETANIEM FAKTOROV, KOTORYE MENYYT OTRASLI I STIMULIRUYT INNOVATII. RAZVERTYVANIE SETEI 5G PO VSEMU MIRU STIMULIRUET SPROS NA GaN-USTROISTVA V TELEKOMMUNIKATIONNOM SEKTORE. SPOSOBNOSTь GaN RABOTATь NA BOLEE VYSOKIK CASTOTAK POZVOLYET EFFEKTIVNO PEREDAVATь VYSOKOSKOROSTNYE DANNYE I REALIZOVATь POVYSENNYE TREBOVANIY K PROPUSKNOI SPOSOBNOSTI SETEI 5G. PO MERE ROSTA SPROSA NA BOLEE BYSTRUY I NADEZNUY SVYZь TEKNOLOGIY GaN STANOVITSY KLYCEVYM KOMPONENTOM V RAZVITII INFRASTRUKTURY 5G. PRODOLZAET RASTI SPROS NA BOLEE KOMPAKTNYE, MOSNYE I ENERGOEFFEKTIVNYE ELEKTRONNYE USTROISTVA. TEKNOLOGIY GaN SPOSOBSTVUET SOZDANIY KOMPAKTNYK ADAPTEROV PITANIY, BYSTRYK ZARYDNYK USTROISTV I RESENII PO UPRAVLENIY PITANIEM DLY NOUTBUKOV, SMARTFONOV, NOSIMYK USTROISTV I DRUGOI POTREBITELьSKOI ELEKTRONIKI. POVYSENNAY SKOROSTь ZARYDKI I UMENьSENNYI FORM-FAKTOR, OBESPECIVAEMYE GaN-USTROISTVAMI, SOOTVETSTVUYT PREDPOCTENIYM POTREBITELEI V OTNOSENII UDOBSTVA I PORTATIVNOSTI.

SEGMENTATIY RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV VYGLYDIT SLEDUYSIM OBRAZOM:

PO TIPU
REZIM OBEDNENIY
KASKODNYI REZIM
RADIOCASTOTNYE USTROISTVA NA OSNOVE GaN
OPTOPOLUPROVODNIKI
SILOVYE POLUPROVODNIKI
RADIOCASTOTNYE POLUPROVODNIKI

PO RAZMERU PLASTIN
2"
4"
6"
8"

PO KOMPONENTAM
TRANZISTOR
DIOD
VYPRYMITELь
SILOVAY IS
DRUGIE

PO PRIMENENIY
SIGNAL
SILOVYE
SVYZь
POTREBITELьSKAY ELEKTRONIKA
AVTOMOBILьNAY PROMYSLENNOSTь
VOENNYE & OBORONNYE
MEDITINA
OSVESENIE I LAZERY
ISTOCNIKI PITANIY I INVERTORY
RADIOCASTOTY
PROCEE

SEGMENTATIY PO REGIONAM/STRANAM:
SEVERNAY AMERIKA
EVROPA
KITAI
YPONIY
AZIY DRUGOE

POLUCATь BESPLATNYE EZEKVARTALьNYE OBNOVLENIY. NAZMITE NA SSYLKU, CTOBY UZNATь BOLьSE @ https://www.snsinsider.com/enquiry/1305

VLIYNIE RETESSII

KOTY RETESSII, NESOMNENNO, MOGUT SOZDAVATь PROBLEMY DLY RYNKA POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV GaN, STEPENь IK VLIYNIY ZAVISIT OT RAZLICNYK FAKTOROV, VKLYCAY TYZESTь I PRODOLZITELьNOSTь EKONOMICESKOGO SPADA, POLITIKU PRAVITELьSTVA I SPOSOBNOSTь OTRASLI K ADAPTATII. KOMPANII, RABOTAYSIE V EKOSISTEME GaN, DOLZNY SOKRANYTь GIBKOSTь, DIVERSIFITIROVATь OBLASTI PRIMENENIY I SOTRUDNICATь MEZDU OTRASLYMI, CTOBY PROITI CEREZ ETI SLOZNYE VREMENA I VYITI IZ NIK BOLEE SILьNYMI.

VLIYNIE ROSSIISKO-UKRAINSKOI VOINY

VLIYNIE ROSSIISKO-UKRAINSKOI VOINY NA RYNOK POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV GaN PODCERKIVAET VZAIMOSVYZANNOSTь GLOBALьNYK OTRASLEI. REZULьTATY ZAVISYT OT PRODOLZITELьNOSTI I INTENSIVNOSTI KONFLIKTA, SPOSOBNOSTI PROIZVODITELEI ADAPTIROVATьSY K PROBLEMAM TEPOCKI POSTAVOK I USTOICIVOSTI TEKNOLOGICESKOGO SEKTORA V TELOM. NESMOTRY NA TO CTO NEPOSREDSTVENNYE NARUSENIY MOGUT BYTь OCEVIDNY, DOLGOSROCNYE POSLEDSTVIY BUDUT ZAVISETь OT SPOSOBNOSTI UCASTNIKOV OTRASLI ORIENTIROVATьSY V SLOZNOSTYK, VOZNIKAYSIK V KODE KONFLIKTA, I SOOTVETSTVUYSIM OBRAZOM KORREKTIROVATь SVOI STRATEGII.

OSNOVNYE NAPRAVLENIY REGIONALьNOGO RAZVITIY

SEVERNAY AMERIKA OSTAETSY LIDEROM PO VNEDRENIY POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV NA OSNOVE GaN BLAGODARY RAZVITOI EKOSISTEME ISSLEDOVANII I RAZRABOTOK I MNOGOCISLENNYM TEKNOLOGICESKIM GIGANTAM, INVESTIRUYSIM V PEREDOVYE TEKNOLOGII. AZIATSKO-TIKOOKEANSKII REGION, IZVESTNYI SVOIMI DOSTIZENIYMI V PROIZVODSTVE POLUPROVODNIKOV, BYSTRO STAL KLYCEVYM IGROKOM NA RYNKE POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV GaN. TAKIE STRANY, KAK KITAI, YPONIY, YZNAY KOREY I TAIVANь, AKTIVIZIROVALI SVOI USILIY PO RAZRABOTKE I MASSTABNOMU PROIZVODSTVU GaN-USTROISTV. STREMLENIE EVROPY K USTOICIVOMU RAZVITIY I ENERGOEFFEKTIVNOSTI STIMULIROVALO VNEDRENIE POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV NA OSNOVE GaN, OSOBENNO V OBLASTI VOZOBNOVLYEMYK ISTOCNIKOV ENERGII I SILOVOI ELEKTRONIKI. ZESTKIE STANDARTY ENERGOEFFEKTIVNOSTI V ETOM REGIONE PRIVELI K INTEGRATII GaN-PRIBOROV V SISTEMY PREOBRAZOVANIY ENERGII DLY SOLNECNYK INVERTOROV, VETRYNYK TURBIN I STANTII ZARYDKI ELEKTROMOBILEI.

OSNOVNYE VYVODY IZ ISSLEDOVANIY RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV

- SEGMENTY S REZIMOM OBEDNENIY PREDSTAVLYYT SOBOI ZNACITELьNYI SKACOK V RAZVITII GaN-TEKNOLOGII, OBESPECIVAY BESPRETEDENTNYE PREIMUSESTVA V UPRAVLENII PITANIEM I USILENII SIGNALOV. V OTLICIE OT PRIBOROV S ULUCSAYSIM REZIMOM, DLY RABOTY KOTORYK TREBUETSY POLOZITELьNOE NAPRYZENIE, PRIBORY S REZIMOM OBEDNENIY PO SVOEI PRIRODE RABOTAYT VO VKLYCENNOM SOSTOYNII PRI NULEVOM NAPRYZENII NA ZATVORE.

- SEGMENT TRANZISTOROV V OBLASTI GaN-POLUPROVODNIKOV TAKZE GOTOV SOVERSITь REVOLYTIY V OTRASLYK, GDE TREBUYTSY BOLEE VYSOKAY PLOTNOSTь MOSNOSTI I ULUCSENNYE KARAKTERISTIKI. GaN-TRANZISTORY OBLADAYT ZAMECATELьNYMI VOZMOZNOSTYMI PO RABOTE S BOLEE VYSOKIMI UROVNYMI NAPRYZENIY I PLOTNOSTI TOKA, CTO DELAET IK IDEALьNYMI KANDIDATAMI DLY RAZLICNYK PRILOZENII.

POSLEDNIE SOBYTIY, SVYZANNYE S RYNKOM GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV

- Transphorm, VEDUSAY TEKNOLOGICESKAY KOMPANIY, SPETIALIZIRUYSAYSY NA PEREDOVYK MATERIALAK I INNOVATIONNYK RESENIYK, POLUCILA KONTRAKT NA SUMMU 15 MLN. DOLL. OT AKSELERATORA TEKNOLOGII NATIONALьNOI BEZOPASNOSTI (NSTA).

- Transphorm, KOMPANIY-PERVOPROKODET V OBLASTI TEKNOLOGII NITRIDA GALLIY (GaN), OBъYVILA O ZNACITELьNOM RASSIRENII SVOEGO GLOBALьNOGO PRISUTSTVIY ZA SCET SOZDANIY PEREDOVOI LABORATORII GaN-PRILOZENII V KITAE.

OGLAVLENIE - ANALIZ KLYCEVYK MOMENTOV

1. VVEDENIE
2. METODOLOGIY ISSLEDOVANIY
3. DINAMIKA RYNKA
4. ANALIZ VLIYNIY
4.1 ANALIZ VLIYNIY COVID-19
4.2 VLIYNIE VOINY MEZDU UKRAINOI I ROSSIEI
4.3 VLIYNIE PRODOLZAYSEISY RETESSII NA OSNOVNYE EKONOMIKI
5. ANALIZ TEPOCKI SOZDANIY STOIMOSTI
6. MODELь "5 SIL PORTERA
7. PEST-ANALIZ
8. SEGMENTATIY RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV, PO TIPAM
9. SEGMENTATIY RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV, PO RAZMERU PLASTIN
10. SEGMENTATIY RYNKA GaN-POLUPROVODNIKOVYK PRIBOROV PO PRIMENENIY
11. REGIONALьNYI ANALIZ
12. PROFILI KOMPANII
13. KONKURENTNYI LANDSAFT
14. ZAKLYCENIE

KUPITь ODNOPOLьZOVATELьSKII PDF @ https://www.snsinsider.com/checkout/1305