header-logo

Маркетинговые коммуникации на основе искусственного интеллекта

Отказ от ответственности: приведенный ниже текст был автоматически переведен с другого языка с помощью стороннего инструмента перевода.


Размер, доля и анализ тенденций рынка полупроводниковых приборов GaN до 2031 года

Oct 10, 2023 1:00 PM ET

Компания InsightAce Analytic Pvt. Ltd. сообщает о выходе отчета об оценке рынка "Глобальный рынок полупроводниковых приборов на основе GaN-полупроводников" (по типам (опто-полупроводники, радиочастотные полупроводники, силовые полупроводники), по устройствам (дискретные полупроводники, интегральные полупроводники), по применению (осветительные & лазеры, силовые приводы (LiDAR, промышленные приводы, E.V. drives), источники питания & Inverters (SMPS, Inverters, Wireless Charging, E.V. charging), Radio Frequency (R.F.),

Front-End Module (FEM), Repeater/Booster/DAS, Radar & Satellite)), By Vertical (Consumer & Business Enterprises, Industrial, Automotive, Telecommunications, Aerospace & Defense, Healthcare, Energy & Power), By Voltage Range (Less than 100 V, 100-500 V, More than 500 V)), Trends, Industry Competition Analysis, Revenue and Forecast To 2031."

Согласно последнему исследованию компании InsightAce Analytic, мировой рынок полупроводниковых приборов GaN оценивается в 2022 году в 20,18 млрд. долларов США, а к 2031 году ожидается, что он достигнет 34,53 млрд. долларов США с темпом роста 6,3% в течение прогнозного периода 2023-2031 годов.

Получить бесплатный экземпляр отчета : https://www.insightaceanalytic.com/request-sample/2119

Полупроводниковый прибор на основе нитрида галлия (GaN) - это электронный компонент, в котором он используется в качестве полупроводникового материала для своей конструкции. GaN - это современный полупроводниковый материал, обладающий рядом преимуществ по сравнению с традиционными материалами, такими как кремний.

Рост спроса на энергоэффективные полупроводниковые приборы в последнее время также способствует росту его популярности. Преимущества полупроводниковых приборов на основе GaN по сравнению с кремниевыми устройствами способствовали росту рынка. Кремниевые материалы используются для производства таких электронных устройств, как смартфоны, компьютеры, фотоаппараты и телевизоры.

С другой стороны, полупроводниковые приборы на основе GaN, которые в 100 раз быстрее кремния, имеют возможность благодаря замедлению творческого потенциала кремния. GaN-приборы превосходят кремниевые по целому ряду параметров, включая повышенное быстродействие, более низкую стоимость и более высокую энергоэффективность.

Растущие потребности в игровых приставках, мобильных телефонах, ноутбуках и телевизорах, вероятно, будут способствовать развитию рынка GaN-полупроводниковых приборов в отрасли бытовой электроники. Спрос на силовые полупроводниковые приборы GaN на рынке ИКТ увеличился в связи с внедрением стандарта 5G, который повысил требования к базовым станциям и мощным транзисторам.

Список ведущих игроков на рынке полупроводниковых приборов GaN:

  • Wolfspeed, Inc. (США)
  • Qorvo, Inc. (США)
  • MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (США)
  • Infineon Technologies AG (Германия)
  • Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Япония)
  • Mitsubishi Electric Group (Япония)
  • NexGen Power Systems. (США)
  • GaN Systems (Канада)
  • Efficient Power Conversion Corporation (США.)
  • Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (США.)
  • ROHM Co., Ltd. (Япония)
  • STMicroelectronics NV (Швейцария)
  • NXP Semiconductors NV (Нидерланды)
  • Transphorm, Inc,
  • Analog Devices, Inc,
  • Texas Instruments Incorporated,
  • Navitas Semiconductor,
  • Microchip Technology Incorporated,
  • Powdec,
  • Northrop Grumman Corporation,
  • Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.,
  • Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
  • Renesas Electronics Corporation,
  • Gallium Semiconductor,
  • GaNpower

Динамика рынка:

Драйверы -

Повышение спроса на потребительскую электронику, такую как ноутбуки, смартфоны, адаптеры питания, высокоскоростные зарядные устройства, светодиодное освещение, устройства "умного дома" и игровые устройства, вероятно, окажет существенное влияние на рост рынка. Использование полупроводниковых приборов GaN в потребительской электронике повышает плотность мощности и эффективность.

Они повышают скорость зарядки, обеспечивают более длительный срок службы и потребляют меньше электроэнергии. Полупроводниковые приборы GaN, например, в базовых станциях и другом сетевом оборудовании, используются также в корпоративных приложениях. Его способность работать с большой мощностью и на высоких частотах улучшает качество беспроводной связи. В результате ожидается, что рост спроса в отрасли бытовой электроники и со стороны коммерческих предприятий будет стимулировать расширение рынка.

Проблемы:

Дорогая стоимость полупроводниковых приборов GaN препятствует их широкому внедрению. Высокая цена обусловлена несколькими факторами. Во-первых, создание GaN-подложек - основы, на которой создаются приборы, - требует сложных методов, требующих специального оборудования и знаний.

По сравнению с более развитыми полупроводниковыми материалами, такими как кремний, эта сложность резко повышает стоимость производства. Кроме того, дефицит высококачественных GaN-подложек обусловливает их высокую цену, ограничивая эффект масштаба производства.

Региональные тенденции:

Североамериканский рынок GaN-полупроводниковых приборов занимает основную долю рынка по объему выручки, и в ближайшем будущем прогнозируется его высокий темп роста. Значительные игроки в США, такие как Cree, Inc, Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. и другие, способствовали этому расширению. Превосходство этого региона объясняется также увеличением закупок устройств на основе нитрида галлия и других сопутствующих технологий в США и Канаде. Компании Texas Instruments Incorporated и Qorvo, Inc. привлекают финансирование для производства устройств на основе GaN в США.

Основными факторами роста рынка Азиатско-Тихоокеанского региона являются присутствие таких известных компаний-производителей полупроводников, как Toshiba (Япония), Nichia Corporation (Япония) и Mitsubishi Electric (Япония), растущая интеграция в вертикали потребительских и коммерческих предприятий, а также государственные инициативы по внедрению инноваций и развитию промышленности.

Вам интересна последняя версия отчета? Запросите перед покупкой: https://www.insightaceanalytic.com/enquiry-before-buying/2119

Последние события:

  • В июне 2023 года компания NexGen объявила о начале производства первых в мире вертикальных GaN-полупроводников с напряжением 700 и 1200 В, которые демонстрируют самые высокие частоты переключения. 1200-вольтовые вертикальные GaN e-mode Fin-jFET, разработанные компанией NexGen, стали единственными широкозоновыми приборами, эффективно демонстрирующими частоту переключения свыше 1 МГц при номинальном напряжении 1,4 кВ.
  • В декабре 2021 года компания Microchip Technology, Inc. объявила о существенном расширении своего портфеля радиочастотных (РЧ) силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN), добавив новые MMIC и дискретные транзисторы, рассчитанные на частоты до 20 гигагерц (ГГц). Сочетая в себе высокий КПД с добавленной мощностью (PAE) и высокую линейность, эти устройства позволили достичь новых уровней производительности в приложениях, охватывающих как 5G, так и радиоэлектронную борьбу, спутниковую связь, коммерческие и оборонные радарные системы, а также испытательное оборудование.

Сегментация рынка полупроводниковых приборов на основе GaN

По типам.

  • Опто-полупроводниковые приборы
  • ВЧ-полупроводники
  • Силовые полупроводники

По типам устройств

  • Дискретные полупроводники
  • Интегрированные полупроводники

По применению

  • Лазеры Lightning &
  • Силовые приводы
    • LiDAR
    • Промышленные приводы
    • Электроприводы
  • Поставки & Инверторы
    • SMPS
    • Инверторы
    • Беспроводная зарядка
    • Э.В. зарядка
  • Радиочастота (R.F.)
    • Фронтальный модуль (ФМ)
    • Ретранслятор/бустер/DAS
    • Радар & Спутник

По вертикали

  • Потребительские & предприятия
  • Промышленность
  • Автомобильная промышленность
  • Телекоммуникации
  • Аэрокосмическая промышленность & Оборонная промышленность
  • Здравоохранение
  • Энергетика & Энергетика

По диапазону напряжения

  • Менее 100 В
  • 100-500 V
  • Более 500 В

По регионам

Северная Америка

  • США
  • Канада
  • Мексика

Европа -

  • Германия
  • Великобритания
  • Франция
  • Италия
  • Испания
  • Остальная Европа

Азиатско-Тихоокеанский регион -

  • Китай
  • Япония
  • Индия
  • Южная Корея
  • Юго-Восточная Азия
  • Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона

Латинская Америка

  • Бразилия
  • Аргентина
  • Остальные страны Латинской Америки

Ближний Восток & Африка-

  • Страны Персидского залива
  • Южная Африка
  • Остальные страны Ближнего Востока и Африки

Для получения дополнительной информации по запросу https://www.insightaceanalytic.com/report/gan-semiconductor-device-market/2119

О нас:

InsightAce Analytic - консалтинговая компания, специализирующаяся на маркетинговых исследованиях, которая помогает клиентам принимать стратегические решения. Наши качественные и количественные решения в области маркетинговых исследований позволяют выявить потребность в рыночной и конкурентной разведке для расширения бизнеса. Мы помогаем клиентам получить конкурентные преимущества за счет выявления неосвоенных рынков, изучения новых и конкурирующих технологий, сегментирования потенциальных рынков и репозиционирования продуктов. Наш опыт заключается в своевременном и экономически эффективном предоставлении синдицированных и заказных отчетов по анализу рынка, содержащих глубокий анализ с ключевыми сведениями о рынке.

Контакты: InsightAce Analytic Pvt. Ltd. Тел.: 1 718 593 4405 Email: [email protected] Посещение сайта: www.insightaceanalytic.com Следите за нами на LinkedIn @ bit.ly/2tBXsgS Следите за нами на Facebook @ bit.ly/2H9jnDZ

Keywords:  GaN Semiconductor Device Market,GaN Semiconductor,GaN Semiconductor Device