Ожидается, что рынок резистивной оперативной памяти Magneto (MRAM) вырастет с CAGR более 18,58%, составив 1396,7 млн. долларов США. Энергонезависимая оперативная память, называемая магниторезистивной памятью с произвольным доступом, использует магнитные заряды, а не электрические заряды для хранения данных. Компания Honeywell создала магниторезистивные устройства памяти в 1990 году, когда начались самые ранние достижения системы. Высокая плотность, произвольный доступ и энергонезависимая память были подтверждены. Динамический баран использует магнитные заряды, альтернативу электрическим зарядам, для.
продолжить чтение>>